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VBM165R22

N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET

FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-Of-Merit (

文件:444 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

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更多VBM165R22供应商 更新时间2026-1-26 9:30:00