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VBL2658_V01	文件：522.63 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •LoadSwitchinHighCurrentApplications •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2658_V01	文件：1.34932 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •LoadSwitchinHighCurrentApplications •DC/DCConverters

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P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable

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更多VBL2658_V01供应商更新时间2024-5-7 10:12:00

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