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VBM1104N | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：695.34 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
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N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：406.51 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
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VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-220AB |
105000 |
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VTL |
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DIP-8 |
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更新时间2026-10-22 11:01:00
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