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VBJ1201K

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:644.9 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBM1201K

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件:1.31522 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBM1201K

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:1.26345 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBM1201M

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件:404.09 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

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VBsemi(台湾微碧)
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更多VBJ1201K供应商 更新时间2025-12-24 11:01:00