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VBL19R09S	文件：918.57 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：918.57 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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