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VBL2205M	文件：430.42 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 200V (D-S) MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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XOPA2205DGKR	文件：2.65486 Mbytes Page：4 Pages	OPAx2054-μV,0.08-μV/°C,Low-Power,SuperBeta,Bipolar,e-trim™OpAmps 1Features •e-trim™operationalamplifierperformance –Lowoffsetvoltage:25μV(max), 15μV(max,highgrade) –Lowoffsetvoltagedrift:±0.5μV/°C(max), ±0.2μV/°C(max,highgrade) •Superbetainputs –Inputbiascurrent:500pA(max) –Inputcurrentnoise:110fA/√Hz •Lownoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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