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厂商型号

VB3222A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

文件大小

567.48 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

VBSEMI

中文名称

微碧半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 11:22:00

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VB3222A规格书详情

General Description

The VB3222A uses advanced trench technology to provide

excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is

provided to facilitate the implementation of a bidirectional

blocking switch, or for DC-DC conversion applications.

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 6.0A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 45mΩ (VGS = 1.8V)

SCHOTTKY

VDS (V) = 20V, IF = 1A, VF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
24+
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6000
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ST(意法)
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