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DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.526VatIF=5A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
ChipZenerDiode | FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司 | FORMOSA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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