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VB30120S-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

文件:165.91 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

VB30120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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VishayVishay Siliconix

威世

VB30120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:162.9 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

VB30120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世

VB30120S-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:161.43 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

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VB30120S-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:162.9 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

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VB30120S-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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VishayVishay Siliconix

威世

VB30120S-E3/8W

肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

Vishay

威世

VB30120S-E3/4W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VB30120S-E3/8W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

  • 型号:

    VB30120S-E3

  • 功能描述:

    肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品:

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压:

    2 V

  • 正向连续电流:

    50 mA

  • 配置:

    Crossover Quad

  • 正向电压下降:

    370 mV

  • 最大功率耗散:

    75 mW

  • 工作温度范围:

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-143

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VB30120S-E3供应商 更新时间2025-10-12 8:01:00