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VB30120S-E3	文件：216.68 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：216.68 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120S-E3	文件：321.01 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：321.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB30120S-E3	文件：731.92 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：731.92 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120S-E3	文件：726.92 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：726.92 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120S-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VB30120S-E3/4W	文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：165.91 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120S-E3/4W	文件：162.9 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.9 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120S-E3/4W	文件：161.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.43 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30120S-E3/8W	文件：161.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.43 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
VB30120S-E3
功能描述：
肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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