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VB20200C-E3-8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:160.99 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

VB20200C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世科技

VB20200C-E3/4W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB20200C-E3/8W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

  • 型号:

    VB20200C

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多VB20200C供应商 更新时间2025-10-6 9:01:00