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VB20150SG-E3/4W	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150SG-E3/8W	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150SG-E3SLASH4W	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150SG-E3SLASH8W	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150S-M3	文件：321.01 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES ·LowForwardVoltageDrop,LowPowerlosses ·HighEfficiencyOperation ·SMD APPLICATIONS ·SwitchingPowerSupply(SPS) ·HighFrequencyConverter ·DC/DCConverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
VB20150S-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5.0 A; Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; 分立	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150S-E3	文件：143.4 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150S-E3	文件：152.99 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150S-E3/4W	文件：163.61 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20150S-E3/8W	文件：163.61 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VB20150S
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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