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V8PM6-M3/I	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8PM6-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V8PM6-M3/H	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8PM6-M3SLASHH	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=4A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8PM6-M3SLASHI	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=4A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
V8PM6-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
eSMP®, TMBS®
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1150pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
描述：
RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

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更多V8PM6-M3/I供应商更新时间2025-5-28 14:33:00

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