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V8PM6-M3SLASHI中文资料威世科技数据手册PDF规格书

V8PM6-M3SLASHI
厂商型号

V8PM6-M3SLASHI

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 4 A

文件大小

107.89 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
VISHAY
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:40:00

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V8PM6-M3SLASHI规格书详情

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code; base P/NHM3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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