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V8PM6-M3SLASHH	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 4 A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8PM6-M3/H	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8PM6-M3/I	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V8PM6-M3SLASHI	文件：107.89 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=4A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

更多V8PM6-M3SLASHH供应商更新时间2025-7-26 11:06:00