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V6WM100C-M3中文资料Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 3 A数据手册Vishay规格书

厂商型号 |
V6WM100C-M3 |
参数属性 | V6WM100C-M3 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 6A 100V DPAK |
功能描述 | Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 3 A |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 14:51:00 |
人工找货 | V6WM100C-M3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
V6WM100C-M3规格书详情
描述 Description
分立
技术参数
- 产品编号:
V6WM100C-M3/I
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
TMBS®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
D-PAK(TO-252AA)
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 6A 100V DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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