V6KM120DU数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
V6KM120DU |
| 参数属性 | V6KM120DU 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY FP5X6 |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 1.5 A |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 11:06:00 |
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V6KM120DU规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling diodes, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V6KM120DUHM3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管配置：
2 个独立式
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
3A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
FlatPAK 5x6（双）
- 描述：
RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY FP5X6
