V6P22C中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 1.5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V6P22C |
| 参数属性 | V6P22C 封装/外壳为TO-277，3-PowerDFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：6A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT. |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 1.5 A |
| 封装外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 11:06:00 |
| 人工找货 | V6P22C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V6P22C规格书详情
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V6P22CHM3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
3A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
- 供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
- 描述：
6A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
