V60200PGW数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

厂商型号 |
V60200PGW |
参数属性 | V60200PGW 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW |
功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
原厂标识 | Vishay |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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V60200PGW规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
·Trench MOS Schottky technology
·Low forward voltage drop, low power losses
·High efficiency operation
技术参数
- 产品编号:
V60200PGW-M3/4W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
TMBS®
- 包装:
散装
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
30A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3PW
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
7668 |
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Vishay(威世) |
24+ |
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Vishay(威世) |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-3P-3 整包 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
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