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V60200PG中文资料Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

V60200PG

参数属性

V60200PG 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

封装外壳

TO-3P-3 整包

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    V60200PGW-M3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PW

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO3PW

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