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V60170G-M3中文资料Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V60170G-M3 |
| 参数属性 | V60170G-M3 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220 |
| 功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | V60170G-M3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V60170G-M3规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
V60170G-M3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
30A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3270 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY |
18+ |
TO-247 |
3750 |
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询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
VISHAY |
18+ |
TO-247 |
85600 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-247 |
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VISHAY |
25+ |
肖特基二极管 |
400 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-247-3 |
8866 |
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VIS |
25+ |
TO-TO-220AB |
12300 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |
