Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 10 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

Vishay

威世

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY ARRAY 100V TO-3PW

Vishay General Semiconductor - Diodes Division