Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

文件：107.35 Kbytes 页数：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：90.58 Kbytes 页数：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

文件：107.35 Kbytes 页数：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

文件：107.35 Kbytes 页数：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：83.71 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：88.19 Kbytes 页数：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：83.71 Kbytes 页数：4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 10 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

Vishay

威世科技

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY ARRAY 100V TO-3PW

Vishay General Semiconductor - Diodes Division