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V60120C	文件：156.2 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：156.2 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C	文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C	文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C_V01	文件：156.2 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：156.2 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C_11	文件：134.37 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.37 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C_15	文件：134.89 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：134.89 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C_15	文件：141.39 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：141.39 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C-E3/4W	文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C-E3-4W	文件：141.39 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：141.39 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V60120C-E3SLASH4W	文件：142.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 文件：142.28 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
V60120C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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