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VB60100C	文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB60100C	文件：150.74 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.36VatIF=5A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VB60100C	文件：104.64 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF60100C	文件：129.87 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF60100C	文件：91.25 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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WSF60100	文件：1.88666 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WSF60100	文件：580.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

详细参数

型号：
V60100P
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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