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V4P22C-M3/I	文件：104.58 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V4P22C-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V4P22C-M3SLASHH	文件：104.58 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.58VatIF=1A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V4P22C-M3SLASHI	文件：104.58 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS®(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.58VatIF=1A •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
V4P22C-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
2.8A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
描述：
4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

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更多V4P22C-M3/I供应商更新时间2025-5-9 15:29:00

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