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V4P22C-M3/I分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

V4P22C-M3/I
厂商型号

V4P22C-M3/I

参数属性

V4P22C-M3/I 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

封装外壳

TO-277,3-PowerDFN

文件大小

104.58 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-25 23:01:00

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产品属性

  • 产品编号:

    V4P22C-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    2.8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 描述:

    4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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