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V4350TO	文件：63.96 Kbytes Page：1 Pages	Ultra Low phase noise VCO with built-in buffer amplifier 文件：63.96 Kbytes 页数：1 Pages	BOWEI 博威集成电路	BOWEI
V436532S04VATG	文件：289.7 Kbytes Page：13 Pages	3.3 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE 文件：289.7 Kbytes 页数：13 Pages	MOSEL 茂矽电子	MOSEL
V436532S04VATG-10PC	文件：198.25 Kbytes Page：12 Pages	3.3 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE 文件：198.25 Kbytes 页数：12 Pages	MOSEL 茂矽电子	MOSEL
V436632R24VL	文件：380.87 Kbytes Page：12 Pages	3.3 VOLT 32M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 文件：380.87 Kbytes 页数：12 Pages	MOSEL 茂矽电子	MOSEL
V436632R24VXTG-10PCL	文件：380.87 Kbytes Page：12 Pages	3.3 VOLT 32M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 文件：380.87 Kbytes 页数：12 Pages	MOSEL 茂矽电子	MOSEL
V436632R24VXTG-75L	文件：380.87 Kbytes Page：12 Pages	3.3 VOLT 32M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 文件：380.87 Kbytes 页数：12 Pages	MOSEL 茂矽电子	MOSEL
V436632R24VXTG-75PCL	文件：380.87 Kbytes Page：12 Pages	3.3 VOLT 32M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE 文件：380.87 Kbytes 页数：12 Pages	MOSEL 茂矽电子	MOSEL
TLV4314IPWR	文件：1.49977 Mbytes Page：41 Pages	丝印：V4314；Package：TSSOP(PW)；TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) • Low Input Bias Current: 1 pA (typ) • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Input and Output • Gain Bandwidth: 3 MHz • Low IQ: 250 μA/Ch (max) • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz • Internal RF/EMI Filter • Extended Temperature Range: 文件：1.49977 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV4314IPWR	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	丝印：V4314；Package：TSSOP(PW)；TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV4314IPWR.A	文件：1.49976 Mbytes Page：41 Pages	丝印：V4314；Package：TSSOP(PW)；TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier 1 Features 1. Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ) . Low Input Bias Current: 1 pA (typ) . Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V . Rail-to-Rail Input and Output . Gain Bandwidth: 3 MHz . Low IQ: 250 μA/Ch (max) . Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz . Internal RF/EMI Filter . Extended Temperature Range: 文件：1.49976 Mbytes 页数：41 Pages	TI 德州仪器	TI

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晶体管资料

型号：
V435
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3CG120B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β>40
图片代号：
C-14
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

Peak Pulse Current (ITM) 1xAmps (A)：
250
Typ Capacitance (pF)：
80
Max Clamp Voltage (Vc) (V)：
710
VMAX AC (V)：
275
Max Rated DC Voltage：
369
VNDC MAX (V)：
473
VNDC MIN (V)：
389

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