| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：V4；Package：SOT-89；SILICON POWER MOS FET N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET POWERAMPLIFIERFORGSMCLASS4HANDSETS DESCRIPTION TheNE5500434isanN-channelsiliconpowerMOSFETspeciallydesignedasthetransmissionpoweramplifier forGSMclass4handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOStechnology(our0.6μmWSigatelat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
Marking：V4；Package：SOT-89；SILICON POWER MOS FET N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET POWERAMPLIFIERFORGSMCLASS4HANDSETS DESCRIPTION TheNE5500434isanN-channelsiliconpowerMOSFETspeciallydesignedasthetransmissionpoweramplifier forGSMclass4handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOStechnology(our0.6μmWSigatelat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
Marking：V4；Package：SOT-89；SILICON POWER MOS FET N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET POWERAMPLIFIERFORGSMCLASS4HANDSETS DESCRIPTION TheNE5500434isanN-channelsiliconpowerMOSFETspeciallydesignedasthetransmissionpoweramplifier forGSMclass4handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOStechnology(our0.6μmWSigatelat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
Marking：V4；Package：SOT-89；SILICON POWER MOS FET N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET POWERAMPLIFIERFORGSMCLASS4HANDSETS DESCRIPTION TheNE5500434isanN-channelsiliconpowerMOSFETspeciallydesignedasthetransmissionpoweramplifier forGSMclass4handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOStechnology(our0.6μmWSigatelat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
Marking：V4；Package：QFN14；4-Bit 140 Mb/s Configurable Dual-Supply Level Translator Features •WideVCCA,VCCBOperatingRange:0.9Vto3.6V •VCCAandVCCBareindependent −VCCAmaybegreaterthan,equalto,orlessthanVCCB •High100pFCapacitiveDriveCapability •High−Speedw/140MbpsGuaranteedDateRateforVCCA, VCCB>1.8V •LowBit−to−Bitskew •Overvolt | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Marking：V4；Package：QFN14；4-Bit 140 Mb/s Configurable Dual-Supply Level Translator Features •WideVCCA,VCCBOperatingRange:0.9Vto3.6V •VCCAandVCCBareindependent −VCCAmaybegreaterthan,equalto,orlessthanVCCB •High100pFCapacitiveDriveCapability •High−Speedw/140MbpsGuaranteedDateRateforVCCA, VCCB>1.8V •LowBit−to−Bitskew •Overvolt | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Marking：V4；Package：SOT23；Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23 1.1Generaldescription LowcapacitancedoublebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesina SOT23smallSurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwo signallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features nESDprotectiono | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：V4；Package：XSON6；Dual inverter | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：V4；Package：SC-88；Dual inverter | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：V4；Package：SSOP5；Counter Timer Built-in CMOS Voltage Detector IC | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
开关管 （SW）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
12V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
3CG122A,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
β>20
- 图片代号：
NO
- vtest：
12
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.3
产品属性
- 产品编号：
V4
- 制造商：
KEMET
- 类别：
电容器 > 配件
- 包装：
散装
- 配件类型：
安装夹
- 配套使用/相关产品：
圆形罐状
- 器件尺寸：
2.008" 直径（51mm）
- 描述：
HARDWARE CAP CLIPS ZINC STEEL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEMET |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
2447 |
SOT-223 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-353 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ALLWINNER/全志 |
24+ |
BGA |
5000 |
ALLWINNE原厂支持只做自己现货 |
询价 | ||
ALLWINNER/全志 |
23+ |
BGA |
5000 |
全志全系列在售,终端可出样品 |
询价 | ||
ALLWINNER/全志 |
23+ |
BGA |
2600 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT363 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
CARLO GAVAZZI |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SMA |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
