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NVD360N65S3	文件：319.68 Kbytes Page：10 Pages	Marking：V360N65S3；Package：DPAK3；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 360 m, 10 A Features •UltraLowGateCharge&LowEffectiveOutputCapacitance •LowerFOM(RDS(on)max.xQgtyp.&RDS(on)max.xEOSS) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NVD360N65S3

文件：319.68 Kbytes

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Marking：V360N65S3；Package：DPAK3；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 360 m, 10 A

Features •UltraLowGateCharge&LowEffectiveOutputCapacitance •LowerFOM(RDS(on)max.xQgtyp.&RDS(on)max.xEOSS) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

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更多V360N65S3供应商更新时间2025-5-22 17:13:00

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