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V30120CI-M3/P

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V30120C-M3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V30120C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V30120CHM3/4W

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB

ETC

ETC

V30120CI-M3/P

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:30A 120V TRENCH SKY RECT

ETC

ETC

V30120C-M3/4W

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB

ETC

ETC

详细参数

  • 型号:

    V30120C

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V30120C供应商 更新时间2025-7-30 16:00:00