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NVD260N65S3

丝印:V260N65S3;Package:DPAK3;MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 260 m, 12 A

Features • Ultra Low Gate Charge & Low Effective Output Capacitance • Lower FOM (RDS(on) max. x Qg typ. & RDS(on) max. x EOSS) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件:310.37 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多V260N65S3供应商 更新时间2025-9-21 12:00:00