V20120SG-E3/VF20120SG-E3/VB20120SG-E3/VI20120SG-E3中文资料High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
V20120SG-E3/VF20120SG-E3/VB20120SG-E3/VI20120SG-E3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
oFor use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
24+ |
TO-220 |
80000 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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TO220 |
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Vishay |
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VISHAY/威世 |
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TO220 |
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