V20120S中文资料High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V20120S |
| 参数属性 | V20120S 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB |
| 功能描述 | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 20:00:00 |
| 人工找货 | V20120S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V20120S规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
V20120SG-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
TMBS®
- 包装：
管件
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
20A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3400 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
TO220 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
14+ |
TO-220 |
53000 |
询价 | |||
VISHAY |
TO220 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-220 |
23547 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-220AB |
1326 |
询价 |
