V20120C中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V20120C |
| 参数属性 | V20120C 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB |
| 功能描述 | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
| 人工找货 | V20120C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V20120C规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
V20120CHM3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
TMBS®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3275 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO220 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220AB |
100000 |
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VISHAY/威世通 |
20+ |
TO220-3 |
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VISHAY/威世 |
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TO220 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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TO-220-3 |
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VISHAY |
原厂封装 |
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VISHAY/威世 |
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TO220 |
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VISHAY/威世 |
13+ |
TO-220 |
2773 |
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