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V20120C数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

V20120C

参数属性

V20120C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

封装外壳

TO-220-3

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-11 18:15:00

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V20120C规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

技术参数

  • 产品编号:

    V20120CHM3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB

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