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V20100SG	文件：216.53 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.53 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100SG	文件：160.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temp 文件：160.62 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100SG_V01	文件：216.53 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.53 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S-M3SLASH4W	文件：200.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-22 文件：200.88 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S_11	文件：145.19 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：145.19 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S_12	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S_15	文件：152.41 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：152.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S_15	文件：129.03 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：129.03 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20100S-E3SLASH4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
V20100S
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

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