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V12WM100C-M3中文资料Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 3 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

V12WM100C-M3

参数属性

V12WM100C-M3 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 12A 100V DPAK

功能描述

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.48 V at IF = 3 A

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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V12WM100C-M3规格书详情

描述 Description

分立

技术参数

  • 产品编号:

    V12WM100C-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-PAK(TO-252AA)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 12A 100V DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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