V12P10中文资料High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书

厂商型号 |
V12P10 |
参数属性 | V12P10 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A |
功能描述 | High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A |
封装外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:30:00 |
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V12P10规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automatic placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号:
V12P10-E3/87A
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
eSMP®, TMBS®
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
12A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-277,3-PowerDFN
- 供应商器件封装:
TO-277A(SMPC)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
TO-277A (SMPC) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-277 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价V12P10即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277 |
11200 |
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24+ |
N/A |
70000 |
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VISHAY/威世 |
2447 |
SMD |
100500 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-277A(SMPC) |
880000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-277A(S |
22957 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |