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V12P22中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 6 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

V12P22

参数属性

V12P22 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:12A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 6 A

封装外壳

TO-277,3-PowerDFN

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:10:00

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V12P22规格书详情

特性 Features

Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology

应用 Application

For use in low voltage high frequency inverters,     freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications.

技术参数

  • 产品编号:

    V12P22HM3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3.2A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    720pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 描述:

    12A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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