High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky)y Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

Very low profile - typical height of 1.3 mm\nTrench MOS Schottky technology\nIdeal for automated placement;

Vishay

威世

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 2.5 A

Very low profile - typical height of 1.3 mm\nTrench MOS Schottky technology\nIdeal for automated placement;

Vishay

威世

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：10A, 120V, SLIMDPAK TRENCH SKY R

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：10A, 120V, SLIMDPAK TRENCH SKY R

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：10A, 120V, SLIMDPAK TRENCH SKY R

Vishay General Semiconductor - Diodes Division