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V10PWM153C-M3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

文件:139.92 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

V10PWM153C-M3/I

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:10A, 150V, DPAK_SL TRENCH SKY RE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V10PWM153C-M3SLASHI

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 2.5 A

• Very low profile - typical height of 1.3 mm • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - Automotive

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VishayVishay Siliconix

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V12P6-M3/86A

Vishay
TO-277A-3

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上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

V15P8-M3

VISHAY
TO-247

VishayVishay Siliconix

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上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    V10PWM153C-M3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    SlimDPAK

  • 描述:

    10A, 150V, DPAK_SL TRENCH SKY RE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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Vishay General Semiconductor -
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TO-252-3 DPak(2 引线 + 接片
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更多V10PWM153C-M3/I供应商 更新时间2025-10-5 11:06:00