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V10WL45-M3	文件：88.91 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：88.91 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V10WL45-M3	文件：121.24 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：121.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V10WL45-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 分立	Vishay 威世	Vishay
V10WL45-M3_V01	文件：88.91 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：88.91 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V10WL45-M3_15	文件：122.33 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：122.33 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V10WL45-M3_15	文件：114.53 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：114.53 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V10WL45-M3I	文件：121.24 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：121.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V10WL45-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V10WL45-M3供应商更新时间2025-12-23 11:00:00

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