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V10D120C-M3	文件：107.39 Kbytes Page：6 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：107.39 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V10D120C-M3/I	文件：127.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：127.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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V10D170C	文件：111.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：111.61 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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V10D170C-M3/I	文件：111.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：111.61 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V10D202C	文件：105.26 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Schottky technology generation 2 文件：105.26 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V10D202C_15	文件：94.63 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：94.63 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V10D45C	文件：123.41 Kbytes Page：6 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：123.41 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V10D45C_15	文件：119.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：119.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

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技术参数

线规 - AWG：
16~22
线规 - mm²：
0.25~1.65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V1供应商更新时间2025-10-14 10:19:00

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