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UT3N10	文件：211.28 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：211.28 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Power MOSFET (N-CH) The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFETproviding very low on-resistance. It has high efficiency andperfect cost-effectiveness. It can be generally applied in thecommercial and industrial fields. RDS(ON) ≤ 0.165Ω @ VGS =10V, ID =3ARDS(ON) ≤ 0.180Ω @ VGS =4.5V, ID =2A Simple drive requirement;	UTC 友顺	UTC
UT3N10G-AE3-R	文件：211.28 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：211.28 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
UT3N10L-AE3-R	文件：211.28 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：211.28 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
3
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
165
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V：
180
CISSTYP.(pF)：
510
COSSTYP.(pF)：
36
CRSSTYP.(pF)：
26
QgTYP.(nC)：
18.2
QgsTYP.(nC)：
3
QgdTYP.(nC)：
4.1
VGS(th)(V)MIN.：
1
VGS(th)(V)MAX.：
3
Package：
SOT-89_SOT-23_SOT-26_PDFN3×3_SOT-223_TO-252_TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UT3N10供应商更新时间2025-12-1 15:02:00

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