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UT3N10中文资料Trench Power MOSFET  (N-CH)数据手册UTC规格书

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厂商型号

UT3N10

功能描述

Trench Power MOSFET  (N-CH)

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:03:00

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UT3N10规格书详情

描述 Description

The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFETproviding very low on-resistance. It has high efficiency andperfect cost-effectiveness. It can be generally applied in thecommercial and industrial fields.

特性 Features

RDS(ON) ≤ 0.165Ω @ VGS =10V, ID =3ARDS(ON) ≤ 0.180Ω @ VGS =4.5V, ID =2A Simple drive requirement

技术参数

  • 制造商编号

    :UT3N10

  • 生产厂家

    :UTC

  • VGS(±V)

    :±20

  • ID(A)

    :3

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V

    :165

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V

    :180

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V

    :-

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.8V

    :-

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.5V

    :-

  • CISSTYP.(pF)

    :510

  • COSSTYP.(pF)

    :36

  • CRSSTYP.(pF)

    :26

  • QgTYP.(nC)

    :18.2

  • QgsTYP.(nC)

    :3

  • QgdTYP.(nC)

    :4.1

  • VGS(th)(V)MIN.

    :1

  • VGS(th)(V)MAX.

    :3

  • Package

    :SOT-89_SOT-23_SOT-26_PDFN3×3_SOT-223_TO-252_TO-92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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