UT108N03中文资料30V, 108A N-CHANNEL POWER MOSFET数据手册UTC规格书
UT108N03规格书详情
描述 Description
As advanced N-channel level power MOSFET, the UT108N03 is produced using UTC’s advanced trench technology, which has been specially tailored to minimize the on-resistance and maintain low gate charge for superior switching performance.
特性 Features
• RDS(ON) = 6.0mΩ @VGS = 10 V
• Low Capacitance
• Optimized Gate Charge
• Fast Switching Capability
• Avalanche Energy Specified
技术参数
- 制造商编号
：UT108N03
- 生产厂家
：UTC
- Vdss(V)
：30
- Vgss(V)
：20
- Id(A)
：108
- Package
：TO-220TO-220FTO-...
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC |
11+ |
TO-220F |
4563 |
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询价 | ||
UTC |
25+ |
TO-251 |
12300 |
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UTC/友顺 |
新年份 |
TO-220 |
69520 |
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UTC/友顺 |
24+ |
TO-251 |
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- |
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NA |
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U |
23+ |
TO-251 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
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UTC/友顺 |
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TO-252 |
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Phoenix/菲尼克斯 |
23/24+ |
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UTC/友顺 |
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UTC/友顺 |
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TO-251 |
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