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UT100N03-Q中文资料100A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET数据手册UTC规格书
UT100N03-Q规格书详情
描述 Description
The UT100N03-Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
特性 Features
• RDS(ON)= 5.3mΩ@VGS=10 V
• RDS(ON) = 8.0mΩ@VGS=4.5 V
技术参数
- 制造商编号
：UT100N03-Q
- 生产厂家
：UTC
- VGS(±V)
：±20
- ID(A)
：100
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V
：5.3
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V
：8
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V
：-
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.8V
：-
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.5V
：-
- CISSTYP.(pF)
：2140
- COSSTYP.(pF)
：490
- CRSSTYP.(pF)
：425
- QgTYP.(nC)
：33
- QgsTYP.(nC)
：8
- QgdTYP.(nC)
：17
- VGS(th)(V)MIN.
：1
- VGS(th)(V)MAX.
：3
- Package
：TO-220_TO-263_PDFN5X6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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