UT100N03中文资料100A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET数据手册UTC规格书
UT100N03规格书详情
描述 Description
The UT100N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
特性 Features
• RDS(ON)= 5.3mΩ@VGS=10 V
• RDS(ON) = 8.0mΩ@VGS=4.5 V
技术参数
- 制造商编号
：UT100N03
- 生产厂家
：UTC
- VGS(±V)
：±20
- ID(A)
：100
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V
：4.6
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V
：6
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V
：-
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.8V
：-
- RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.5V
：-
- CISSTYP.(pF)
：5200
- COSSTYP.(pF)
：1040
- CRSSTYP.(pF)
：900
- QgTYP.(nC)
：81
- QgsTYP.(nC)
：20
- QgdTYP.(nC)
：37
- VGS(th)(V)MIN.
：1
- VGS(th)(V)MAX.
：3
- Package
：TO-251_TO-252_TO-220_TO-220F_TO-252D_TO-263_PDFN5X6
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