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US6T9	文件：106.56 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TR；Package：TUMT6；General purpose amplification (-30V, -1A) 文件：106.56 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6T9	文件：113.37 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T09；Package：TUMT6；General purpose amplification (−30V, −1A) 文件：113.37 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6T9	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(BIP+BIP) 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。 •启动用小型功率复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
US6T9_1	文件：113.37 Kbytes Page：3 Pages	General purpose amplification (−30V, −1A) 文件：113.37 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TUMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-30
Collector current Io(Ic) [A]：
-1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-30
Collector current(continuous) IC2[A]：
-1
hFE：
270 to 680
hFE (Min.)：
270
hFE (Max.)：
680
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
2SB1710 / 2SB1710
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多US6T9供应商更新时间2026-1-19 10:20:00

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