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US6T4中文资料Low VCE(sat) Transistor数据手册ROHM规格书

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厂商型号

US6T4

参数属性

US6T4 封装/外壳为6-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 3A TUMT6

功能描述

Low VCE(sat) Transistor
TRANS PNP 12V 3A TUMT6

封装外壳

6-SMD,扁平引线

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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US6T4规格书详情

描述 Description

根据市场需求,提供从超小型到功率型的封装,以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。

特性 Features

Low VCE(sat)晶体管

简介

US6T4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的US6T4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :US6T4

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Package Code

    :SOT-363T

  • JEITA Package

    :SC-113DA

  • Package Size[mm]

    :2.0x2.1(t=0.85max.)

  • Number of terminal

    :6

  • Polarity

    :PNP

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

    :-12.0

  • Collector current(continuous) IC1[A]

    :-3.0

  • Collector Power dissipation PC[W]

    :0.4

  • hFE

    :270 to 680

  • hFE (Min.)

    :270

  • hFE (Max.)

    :680

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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