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US6T4	文件：74.54 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T04；Package：TUMT6；Low frequency amplifier 文件：74.54 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6T4	文件：66.92 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TR；Package：TUMT6；Low frequency amplifier 文件：66.92 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6T4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor 根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 Low VCE(sat)晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
US6T4_1	文件：74.54 Kbytes Page：3 Pages	Low frequency amplifier 文件：74.54 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
US6T4TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 3A TUMT6	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Package Size[mm]：
2.0x2.1(t=0.85max.)
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-12.0
Collector current(continuous) IC1[A]：
-3.0
Collector Power dissipation PC[W]：
0.4
hFE：
270 to 680
hFE (Min.)：
270
hFE (Max.)：
680
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多US6T4供应商更新时间2025-12-9 13:02:00

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